硅通孔三维互连与集成技术
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随着电子技术的高速发展，更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。
随着电子技术的高速发展，更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。
随着移动和手持设备的功能越来越丰富，需要容纳更多频段，并满足小尺寸要求。集成无源器件 (IPD,Integrated Passive Component)是一种越来越流行的技术，为射频解决方案提供了小尺寸和高性能优势。
在本文中，我们将重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装（WLP）。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺
随着摩尔定律逼近物理极限，引领集成电路产业发展的片上集成技术发展已遇到瓶颈，计算系统算力受到“功耗墙”、“存储墙”和“I/O 墙”制约，芯片功能及面积的大幅增加导致芯片良率降低及成本增加，因此芯片设计公司及制造厂商开始探索先进互连与封装技术
随着半导体产业的发展，摩尔定律不再能够完全描述集成电路工艺的进步，原有特征尺寸的等比例缩小的原则在未来的集成电路开发中不再完全适用。大多数集成电路制造业的商业现实是，即便是在资本支出不断增加的背景下，技术节点的变迁和晶圆尺寸的变化正在逐渐变缓。
武汉利之达科技创始人、首席专家陈明祥教授受邀参加第二届陶瓷封装产业论坛，并做了《系统级封装用陶瓷基板技术研发与产业化》的特邀报告。
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这是一个致敬创新创业者的时代，被双创浪潮裹挟的个体，又引领着潮水前进的方向。在人才竞争驱动新一轮科技和产业变革的关键当下...
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